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        晶振勵電平的影響
        激勵電平的影響 實際上,所有晶體元件的頻率都在一定程度上隨激勵電平變化而變化(微量變化),一般來說,AT切晶體的頻率會隨激勵電平增大而略有升高。過高的激勵電平會導致諧振器溫度特性的畸變,并激活寄生模。過高的激勵使晶體發熱和應力過大,從而產生不可逆的頻率漂移。 非常低的激勵電平(數微瓦或更低)下,晶體元件的諧振電阻可能比在額定激勵電平下電阻值高很多,以致使振蕩器越振越困難。這種效應經過一段非工作狀態的貯存后會加劇,這就是激勵電平相關性(DLD)。因此,晶體在電路中實際使用的激勵電平不應過大和過小。 下面是IEC推薦的激勵功率的常用值。 2mw、1mw、0.1mw(100μw)、0.05mw(50μw)、0.02mw(20μw)、0.01mw(10μw)、0.001 mw(1μw) 優選值 5MHz以下 500μw,以上一般 100μw。
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